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ZA-322T中岸絲熔斷特性測(cè)試儀電流200A可定制生產(chǎn)廠家智能絲測(cè)試儀是一款用于小型熔斷器性能測(cè)試的用儀器，用于管熔斷時(shí)間、熔斷電流的檢測(cè)，
滿足標(biāo)準(zhǔn)G 9364.1-2015 、GB 9364.3-2018相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中的熔斷、耐久性試驗(yàn)要求。
本儀器采用7寸顯示觸摸屏顯示和參數(shù)設(shè)置，采用ARM控制器進(jìn)行控制采集，試驗(yàn)電流高達(dá)200A的試驗(yàn)設(shè)備。
具有操作簡(jiǎn)便，智能可靠等特點(diǎn)。
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項(xiàng)目 |
要求及指標(biāo) |
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輸入電壓范圍 |
220V±10﹪，50Hz/60Hz |
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測(cè)試電流范圍 |
0.5~150A，1﹪RD±0.2﹪fs |
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測(cè)試開路電壓精度 |
1﹪RD±0.2﹪fs |
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試驗(yàn)?zāi)Ｊ?/span> |
熔斷時(shí)間測(cè)試 M1和耐久性測(cè)試M2 |
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測(cè)試時(shí)間范圍
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M1 模式時(shí)間范圍:10mS--60分鐘 M2 模式時(shí)間范圍：10mS--100小時(shí) |
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耐久性時(shí)間設(shè)置 |
0~99H59M |
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次數(shù)設(shè)置 |
0~9999次 |
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時(shí)間分辨率 |
10ms |
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測(cè)試電流步 |
50mA~1A，可設(shè)置 |
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測(cè)試電流精度 |
M1 模式< ±0.4﹪SET + 50mA（‘SET’為設(shè)置數(shù)值）， M2 模式<±0.5﹪SET + 100mA（‘SET’為設(shè)置數(shù)值） |
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測(cè)試時(shí)間精度 |
M1 模式< ±10mS+0.3﹪RD（‘RD’為實(shí)際工作時(shí)間數(shù)值）， M2 模式<±10mS+0.5﹪RD（‘RD’為實(shí)際工作時(shí)間數(shù)值） |
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顯示方式 |
7 寸觸摸屏顯示 |
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控制方式 |
FPGA+ARM 控制 |
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其他 |
支持外接 U 盤拷貝試驗(yàn)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)保存功能，免費(fèi)開放通信接口及提供底層通信協(xié)議 |
如果套管內(nèi)部存在缺陷，也可能導(dǎo)致套管異常發(fā)熱。在這種情況下，發(fā)生故障套管的整體溫度一般較其他正常的兩相高（如下圖紅外熱像儀應(yīng)用在套管上）。如果套管內(nèi)部或外部接頭存在接觸不良，或接點(diǎn)被氧化腐蝕，也可能導(dǎo)致套管接觸點(diǎn)溫度異常。在這種情況下，發(fā)生故障套管接觸點(diǎn)就會(huì)表現(xiàn)出觸點(diǎn)的溫度明顯高于其他正常的點(diǎn)或線路或套管。變壓器套管熱缺陷的紅外熱像儀應(yīng)用檢測(cè)依據(jù)根據(jù)DL/T664-20089.1電流致熱型設(shè)備的判斷：套管將帽與外部接線板或內(nèi)部導(dǎo)電桿接觸不良是電流致熱故障，判斷依據(jù)如下：套管內(nèi)部存在缺陷的情況比較復(fù)雜：有可能是電壓致熱故障所引起的，也有可能是套管機(jī)械損傷造成的。也就是說，只要振鈴、過沖和地電平反彈不導(dǎo)致邏輯跳變，那么這些模擬特點(diǎn)對(duì)MSO就不是問題。與邏輯分析儀一樣，MSO使用門限電壓，確定信號(hào)是邏輯值高還是邏輯值低。MSO4系列可以為每條通道立設(shè)置門限，適合調(diào)試帶有混合邏輯家族的電路。MSO4在其中一個(gè)數(shù)字適配夾上測(cè)量五個(gè)邏輯信號(hào)，它同時(shí)測(cè)量三個(gè)TTL(晶體管-晶體管邏輯)信號(hào)和兩個(gè)LVPECL(低壓正發(fā)射器-耦合邏輯)信號(hào)。MSO2和MSO3系列則為每個(gè)適配夾設(shè)置門限(一組8條通道)，因此TTL信號(hào)將位于個(gè)適配夾上，而LVPECL信號(hào)則位于第二個(gè)適配夾上。 http://fx-arc.cn
